Квантроны с поперечной диодной накачкой для импульсных лазеров российского производства
Квантроны с поперечной диодной накачкой активно используются для создания мощных импульсных лазеров, которые в свою очередь находят применения в различных областях науки и техники: медицине, обработке материалов, научных исследованиях и в ряде специальных применений.
Компонентная база российского производства становится всё более актуальной и востребованной в последнее время. Компания “Ленинградские Лазерные Системы” предлагает несколько версий кванторнов с поперечной накачкой, а также предлагает разработку под индивидуальные технические требования.
Основное применение: импульсные твердотельные лазерные усилители.
Основные особенности:
- В качестве источников накачки используются матрицы лазерных диодов СЛМ-2 производства ОАО «НПП «Инжект» (г. Саратов, Россия).
- Возможность применения различных типов активных элементов (Nd:YAG, Nd:YLF, Nd:YAP и др.).
- Охлаждение активного элемента и источников накачки – жидкостное.
- Отсутствие жестких требований к температурной стабилизации источников накачки и к качеству охлаждающей жидкости.
- Допустимый диапазон рабочих температур – более 10 °С.
- Высокая эффективность поглощения излучения накачки (более 85 %).
Рассмотрим стандартные технические решения:
- импульсная мощность накачки до 4000 Вт, длительность импульса до 500 мкс, частота следования импульса до 100 Гц, активный элемент Nd:YAG, Ø5 мм.
- импульсная мощность накачки до 8000 Вт, длительность импульса до 500 мкс, частота следования импульса до 100 Гц, активный элемент Nd:YAG, Ø5 мм.
Отправить ответ
Оставьте первый комментарий!
Вы должны быть зарегистрированы чтобы оставить комментарий
Вы должны быть зарегистрированы чтобы оставить комментарий