Структура кристалла

Тетрагональная

Пространственная группа

I41/amd

Параметр решетки

a=0,721 нм, b=0,635 нм

Лазерный переход

4F3/2 → 4I11/2

Длина волны лазерного генерации

1062,9 нм

Сечение излучения (на длине волны 1064 нм)

7,6×10-19 см2

Сечение поглощения (на длине волны 808 нм)

4,9×10-19 см2

Коэффициент поглощения (на длине волны 808 нм)

74 см-1

Показатели преломления (на длине волны 1064 нм)

no=1,972,

ne=2,192

Теплопроводность (<110>)

11,7 Вт/м/°K

Плотность

5.47g/cm3

Легирование Nd (атм)

0,1%, 0,2%, 0,3%, 0,5%, 0,7%, 1,0%…

Кристалл

Nd:GdVO4

Nd:YVO4

Структура кристалла,

Пространственная группа

Тетрагональная,

I41/amd

Тетрагональная,

I41/amd

Параметр решетки (нм)

a:0,721   b:0,635

a:0,721    b:0,629

Температура плавления (°C)

1780

1825

Термическое расширение при 25°C, x10-6/°C

a

1,5

a

4,43

b

7,3

b

11,4

Удельная теплоемкость при 25°C, кал/моль·°K

32,6

24,6

dn/dT, x10-6 /°C

4,7

2,7

Кристалл

Nd:YVO4

Nd:GdVO4

Nd:YAG

Длина волны

1064,3 нм,1342,0 нм

1062,9 нм,1340 нм

1064,2 нм,1338,2 нм

Диапазон излучения (ширина линии для 1064 nm)

0,8 нм

Нет данных

0,45 нм

Эффективное сечение лазера (сечение излучения для 1064 нм)

15,6 x 10-19 см2

7,6 x 10-19см2

6,5 x 10-19см2

Поляризация

Параллельно оси c

Параллельно оси c

Неполяризованное

Радиоактивное время жизни (мкс) при легировании Nd 1%

~ 100 мкс

~ 95 мкс

230 мкс

Длина волны накачки

808,5 нм

808,4 нм

807,5 нм

Пиковое поглощение накачки при легировании Nd 1%

~ 41 см-1

~ 57 см-1

Теплопроводность, Вт/м/°K

5,1

11,7

14

Диапазон возможного легирования

0,1 – 3,0%

0,1 – 3,0%

0,1-2,0%